電子元器件都有電氣參數(shù)，在選型時(shí)要給電子元器件留出足夠的余量，才能保證電子元器件的穩(wěn)定性和長期運(yùn)行。接下來簡(jiǎn)要介紹一下三極管和MOS管的選型方法。

三極管是一種流控型器件，MOS管是壓控型器件，兩者之間有相似之處，在選擇時(shí)需要考慮耐壓、電流等參數(shù)。

1、根據(jù)耐壓選型

三極管的集電極C與發(fā)射極E之間能承受的電壓參數(shù)為V(BR)CEO，工作時(shí)CE之間的電壓不得超過規(guī)定值，否則三極管將永i久損壞。

在使用過程中，MOS管的漏極D與源極S之間也存在電壓，工作時(shí)DS兩端的電壓不能超過規(guī)定值。一般來說，MOS管的耐壓值遠(yuǎn)高于三極管。

2、過電流能力

三極管有ICM參數(shù)，即集電極的過電流能力，MOS管的過電流能力以ID來表示。當(dāng)電流工作時(shí)，流過三極管/MOS管的電流不能超過規(guī)定值，否則器件將會(huì)被燒壞。

考慮到工作穩(wěn)定性，一般要留出30%-50%，甚至更多的余量。

3、工作溫度

商業(yè)級(jí)芯片：一般范圍在0到+70℃；

工業(yè)級(jí)芯片:一般范圍在-40到+85℃；

軍i工級(jí)芯片：一般范圍在-55℃到+150℃；

在進(jìn)行MOS管選型時(shí)，要根據(jù)產(chǎn)品的使用場(chǎng)合選擇合適的芯片。

4、根據(jù)開關(guān)頻率選擇

三極管和MOS管都有開關(guān)頻率/響應(yīng)時(shí)間的參數(shù)。如果用于高頻電路中，必須考慮開關(guān)管的響應(yīng)時(shí)間是否符合使用條件。

5、其他選型條件

例如，MOS管的導(dǎo)通電阻Ron參數(shù)、MOS管的VTH開啟電壓等。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管小電流發(fā)熱的緣故

1、電路原理的難題，便是讓MOS管工作中在線形的運(yùn)行狀態(tài)，而不是在開關(guān)情況。這也是造成 MOS管發(fā)熱的一個(gè)緣故。假如N-MOS做開關(guān)，G級(jí)工作電壓要比開關(guān)電源高幾V，才可以徹i底通斷，P-MOS則反過來。沒有徹i底開啟而損耗過大導(dǎo)致輸出功率耗費(fèi)，等效電路直流電特性阻抗較為大，損耗擴(kuò)大，因此U*I也擴(kuò)大，耗損就代表著發(fā)熱。這也是設(shè)計(jì)方案控制電路的避諱的不正確。

2、頻率太高，主要是有時(shí)候太過追求完i美容積，造成 頻率提升，MOS管上的消耗擴(kuò)大了，因此發(fā)熱也增加了。

3、沒有做到充足的排熱設(shè)計(jì)方案，電流太高，MOS管允差的電流值，一般必須保持良好的排熱才可以做到。因此ID低于較大電流，也很有可能發(fā)熱比較嚴(yán)重，必須充足的輔助散熱器。

4、MOS管的型號(hào)選擇不正確，對(duì)輸出功率分辨不正確，MOS管內(nèi)電阻沒有考慮到，mos生產(chǎn)廠家，造成開關(guān)特性阻抗擴(kuò)大。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管有的時(shí)候也稱作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，mos萬芯半導(dǎo)體，因?yàn)樗鼩w屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，啟東mos，全名是金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，mos公司，是一種能夠普遍應(yīng)用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。依據(jù)其“通道”(工作載流子)的極性差異，可分成“N型”與“P型”的兩個(gè)類型，也就是常說的Nmos、Pmos。