ZL205A微弧氧化膜層耐蝕性能研究
利用硅酸鹽復(fù)合電解液體系,在ZL205A上采用微弧氧化法制備膜層。
所用的工藝參數(shù)為:恒流控制,電流密度3 A/dm^2,頻率500 Hz,終止電壓450 V。利用掃描電鏡對(duì)該膜層的形貌及結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析;對(duì)膜層的化學(xué)成分進(jìn)行分析;采用極化曲線評(píng)價(jià)膜層的耐蝕性。
結(jié)果表明:所制備的微弧氧化膜層能提高ZL205A的耐蝕性。
時(shí)間對(duì)微弧氧化封孔膜層增厚的影響
在其他工藝參數(shù)相同的情況下,不同封閉時(shí)間對(duì)陶瓷膜膜層增厚的影響。封閉時(shí)間較短時(shí),鈦合金微弧氧化技術(shù),膜層增厚較少;隨著時(shí)間的延長(zhǎng),膜層逐漸增厚;但是封閉時(shí)間過長(zhǎng),如封閉時(shí)間超過60min后,微弧氧化技術(shù)優(yōu)點(diǎn),膜層增厚并不顯著,而且有下降的趨勢(shì)。
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用正交試驗(yàn)法,對(duì)影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標(biāo),以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設(shè)計(jì),并開展了四因素三水平的正交試驗(yàn)。使用掃描電鏡對(duì)正交試驗(yàn)后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進(jìn)行了觀察;利用Image J軟件對(duì)陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進(jìn)行測(cè)量。
結(jié)果表明:影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為:正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率;
采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果為:正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。
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