現(xiàn)在的 EEPROM 和 FLASH 都屬于“可多次電擦除存儲器”,但他們二者之間還是有很大差異。
首先,他們差異就是:FLASH按塊/扇區(qū)進行讀寫操作,EEPROM支持按字節(jié)讀寫操作。
其次,容量大小不同:FLASH容量可以做到很大,210度進口存儲器介紹,但EEPROM容量一般都很小。
再次,就是它們的應用場景不同:EERPOM存儲零散小容量數(shù)據(jù),比如:標志位、一組數(shù)據(jù)等。FLASH存儲大容量數(shù)據(jù),比如:程序代碼、圖片信息等。
測井210度存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。
根據(jù)Flash生產(chǎn)廠商,理論上閃存盤可擦寫1,000,存儲器,000次,折合正常使用次數(shù)計算,高溫150度存儲器介紹,閃存盤里數(shù)據(jù)可保存約10年左右。
FLASH存儲器在使用一段時間后,再次格式化,其容量會自動變小。
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。
NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣,即可以根據(jù)地址隨機讀寫,用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼,這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。因為其讀取速度快,多用來存儲程序、操作系統(tǒng)等重要信息。
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