閃速存儲器(Flash ROM)是20世紀80年代中期出現(xiàn)的一種塊擦寫型存儲器,是一種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器,F(xiàn)lash ROM突破了傳統(tǒng)的存儲器體系,改善了存儲器產(chǎn)品的特性。
Flash ROM中的內(nèi)容不像RAM一樣需要電源支持才能保存,但又像RAM一樣可重寫。在某種低電壓下,F(xiàn)lash ROM的內(nèi)部信息可讀不可寫,類似于ROM,而在較高的電壓下,其內(nèi)部信息可以更改和刪除,又類似于RAM。
175度存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多,200度進口讀寫存儲器參數(shù),150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,讀寫存儲器,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,210度進口讀寫存儲器參數(shù),歡迎來電。RAM隨機存取存儲器(Random Access Memory)
CPU根據(jù)RAM的地址將數(shù)據(jù)隨機的寫入或讀出。電源切斷后,所存數(shù)據(jù)全部丟失。按照集成電路內(nèi)部結構不同,RAM又分為兩類:
SRAM靜態(tài)RAM(Static RAM)
靜態(tài)RAM速度非??欤灰娫创嬖趦?nèi)容就不會消失。但他的基本存儲電路是由6個MOS管組成1位。集成度較低,功耗也較大。一般高速緩沖存儲器(Cache memory)用它組成。
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。光擦可編程只讀存儲器(EPROM)
光擦可編程只讀存儲器(EPROM)的特點是內(nèi)容可以用特殊的方式擦除和重寫。EPROM出廠時,其存儲內(nèi)容為全「1」,用戶可根據(jù)需要將部分內(nèi)容改寫為「0」,需要修改存儲內(nèi)容時,可將原存儲內(nèi)容擦除(恢復為全「1」),以便寫入新的內(nèi)容。
EPROM一般是將芯片用紫外線照射15~20分鐘左右,以擦除其中的內(nèi)容,然后用的EPROM寫入器將信息重新寫入,一旦寫入則相對固定。在閃速存儲器大量應用之前,EPROM常用于軟件開發(fā)過程中。
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