其實,通過對比的話,碳化硅球與碳化硅在成分方面并沒有太大的區(qū)別,但碳化硅球具有粒度統(tǒng)一的優(yōu)點,通過合理的應(yīng)用碳化硅球,能充分利用碳化硅球,硅球電話,減少對碳化硅球的浪費。然而,由于碳化硅球是由碳化硅粉,碳化硅粒壓制而成的,主要組成部分也是碳化硅,所以,為了確保碳化硅球的品質(zhì),也需要注意碳化硅的品質(zhì)。
在冶煉碳化硅時,之所以會出現(xiàn)粗細(xì)不均勾,主要在于爐心裝置不均勻,例如尺寸不均、加壓不均、有大塊雜物等。另外,硅球廠家,爐心下部料密度過低,造成爐心下沉多,日照硅球,易發(fā)生下沉不均現(xiàn)象;爐心上部料高度不均造成對,爐心的壓力不均等都會引起結(jié)晶筒的粗細(xì)不均勾。采用小爐心時,這一現(xiàn)象更易發(fā)生。
硅的電學(xué)性質(zhì):半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)有兩個十分突出的特點,一是導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間,其電阻率約在10-4~1010Ω·cm范圍內(nèi);二是電導(dǎo)率和導(dǎo)電型號對雜質(zhì)和外界因素(光、熱、磁等)高度敏感。
無缺陷半導(dǎo)體的導(dǎo)電性很差,稱為本征半導(dǎo)體。當(dāng)摻入極微量的電活性雜質(zhì),其電導(dǎo)率將會顯著增加,當(dāng)硅中摻雜以施主雜質(zhì)為主時,以電子導(dǎo)電為主,成為N型硅;當(dāng)硅中摻雜以受主雜質(zhì)為主時,以空穴導(dǎo)電為主,硅球多少錢,成為P型硅。硅中P型和N型之間的界面形成PN結(jié),它是半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)和工作基礎(chǔ)。
增碳劑的原料有很多種,生產(chǎn)工藝也各異。市場上較常見的增碳劑,主要采用石墨經(jīng)壓制成型,這種生產(chǎn)方式需要添加過多的粘結(jié)劑成型,含碳量一般達不到增碳劑的要求。壓制后的石墨粉,因為是固體塊狀,沒有多孔隙結(jié)構(gòu),所以吸收速度和吸收率不如煅燒、焙燒成型的增碳劑。增碳劑一般指經(jīng)過石墨化的增碳劑,在高溫條件下,碳原子的排列呈石墨的微觀形態(tài),所以稱之為石墨化。石墨化可以降低增碳劑中雜志的含量,提高增碳劑的碳含量,降低硫含量。
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