公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

用電源IC立即驅(qū)動(dòng)MOS管

一個(gè)好的MOS管驅(qū)動(dòng)電路有下面幾點(diǎn)規(guī)定：

（1）開(kāi)關(guān)管啟用瞬間，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能輸出非常大的電流，使MOS管柵源極間工作電壓快速升高到所需值，確保開(kāi)關(guān)管能迅速開(kāi)啟且不會(huì)有上升沿的高頻率震蕩。

（2）電源開(kāi)關(guān)通斷期內(nèi)，驅(qū)動(dòng)電路能確保MOS管柵源極間工作電壓長(zhǎng)期保持，且有效通導(dǎo)。

（3）關(guān)閉一瞬間驅(qū)動(dòng)電路，能供應(yīng)一個(gè)盡量低阻抗的通道，供MOS管柵源極間電容工作電壓的迅速泄流，確保開(kāi)關(guān)管能迅速關(guān)閉。

（4）驅(qū)動(dòng)電路構(gòu)造簡(jiǎn)易靠譜、耗損小。

（5）依據(jù)具體情況開(kāi)展防護(hù)。

在控制模塊電源中，常見(jiàn)的是電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOS管。應(yīng)用中，臺(tái)州WPmos管，應(yīng)當(dāng)留意較大驅(qū)動(dòng)高值電流量、MOS管的分布電容2個(gè)主要參數(shù)。電源IC的驅(qū)動(dòng)能力、MOS分布電容尺寸、驅(qū)動(dòng)電阻器電阻值都將危害MOS管電源開(kāi)關(guān)速率。假如挑選MOS管分布電容較為大，電源IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)能力又不夠時(shí)，必須在驅(qū)動(dòng)電路上提高驅(qū)動(dòng)能力，WPmos管哪家好，常應(yīng)用圖騰柱電源電路提升電源IC驅(qū)動(dòng)能力。

公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

說(shuō)白了的過(guò)流保護(hù)，WPmos管廠家，便是在輸出短路故障或過(guò)載時(shí)對(duì)電源或負(fù)荷開(kāi)展維護(hù)，現(xiàn)階段對(duì)電源過(guò)流保護(hù)有多種方式，如恒流形、恒輸出功率型等，可是這種過(guò)流保護(hù)電路的制定都離不了MOS管，一款高的品質(zhì)的MOS管能夠提高電源過(guò)流保護(hù)的作用。

MOS管失效的兩個(gè)主要原因：

電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOS管額定電壓，達(dá)到一定容量，造成MOS管失效。

柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，WPmos管價(jià)格，造成柵氧層故障。

雪崩破壞到底是什么？簡(jiǎn)單地說(shuō)，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡(jiǎn)而言之，即MOS管漏源極的電壓超過(guò)了它規(guī)定的電壓值，并且達(dá)到了某一能量極限i時(shí)所產(chǎn)生的常見(jiàn)故障。

造成柵電壓異常高的主要原因有三個(gè)：生產(chǎn)、運(yùn)輸和裝配過(guò)程中的靜電；設(shè)備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生高壓諧振；在高壓沖擊時(shí)，高壓通過(guò)Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測(cè)試時(shí)這種故障更為常見(jiàn))。