晶體振蕩器原理
晶振常與電腦主板、南橋、外置聲卡等電源電路聯(lián)接應(yīng)用。晶振可形容為各主控板的“心率”產(chǎn)生器,假如一類卡的“心率”發(fā)生難題,一定會(huì)使別的各電源電路發(fā)生常見故障。利用該特點(diǎn),晶振能夠給予較平穩(wěn)的單脈沖,廣泛運(yùn)用于微集成ic的晶振電路里。晶片多見石英石半導(dǎo)體器件,機(jī)殼用金屬封裝。
石英石晶體振蕩器,通稱晶振電路,是利用具備熱電效應(yīng)的石英晶體片做成的。這類石英晶體片狀遭受另加交變電場的功效的時(shí)候會(huì)造成振動(dòng)分析,當(dāng)交變電場的頻率與石英晶體的共振頻率同樣時(shí),震動(dòng)便越來越很明顯,這就是結(jié)晶諧振特性的反映。利用這類特性,上偏晶振現(xiàn)貨,就可以用石英石諧振器替代LC(電磁線圈和電容器)諧振控制回路、過濾器等。
晶體振蕩器的功能作用
晶振在應(yīng)用具體起到的作用,微控制器的時(shí)鐘源可以分為兩類:基于機(jī)械諧振器件的時(shí)鐘源,如晶振、陶瓷諧振槽路;RC(電阻、電容)振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置,適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振蕩器。基于晶振與陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動(dòng),成本也比較低,但通常在整個(gè)溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差,會(huì)在標(biāo)稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認(rèn)真對(duì)待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時(shí),陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負(fù)載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對(duì)放大器的選擇并不敏感,但在過驅(qū)動(dòng)時(shí)很容易產(chǎn)生頻率漂移(甚至可能損壞)。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有:電磁干擾(EMI)、機(jī)械震動(dòng)與沖擊、濕度和溫度。這些因素會(huì)增大輸出頻率的變化,增加不穩(wěn)定性,并且在有些情況下,還會(huì)造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出,并且能夠在一定條件下保證運(yùn)行。常用的兩種類型是晶振模塊和集成RC振蕩器(硅振蕩器)。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。硅振蕩器的精度要比分立RC振蕩器高,多數(shù)情況下能夠提供與陶瓷諧振槽路相當(dāng)?shù)木取?/p>
晶體振蕩器基本知識(shí)
1、概念:電路上為一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò),有兩個(gè)諧振點(diǎn),較低的頻率是串聯(lián)諧振,較高的頻率是并聯(lián)諧振。
這兩個(gè)頻率接近,上偏晶振報(bào)價(jià),再很窄的頻率范圍內(nèi),晶振等效為一個(gè)電感,上偏晶振,只要在晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容就可以組成并聯(lián)諧振電路。
2、選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率;
3、分類:無源晶振(crystal,晶體)、有源晶振(oscillator,振蕩器);
4、振蕩原理:壓電效應(yīng);
5、壓電諧振:當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(決定于晶片的尺寸)相等時(shí),上偏晶振生產(chǎn)廠家,機(jī)械振動(dòng)的幅度急劇增加;
6、石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)來起振,石英晶體諧振器是利用石英晶體和內(nèi)置IC來共同作用工作的;
振蕩器直接應(yīng)用于電路中,諧振器的工作一般需要提供3.3V的電壓來維持工作。
振蕩器比諧振器多了一個(gè)重要的技術(shù)參數(shù):諧振電阻(RR);
7、Q值:衡量電感的主要參數(shù),指電感器再某一頻率的交流下工作時(shí),所呈現(xiàn)的感抗與等效損耗電阻之比。
Q值越高,損耗越小,效率越高;
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