電子元器件都有電氣參數(shù)，在選型時(shí)要給電子元器件留出足夠的余量，才能保證電子元器件的穩(wěn)定性和長(zhǎng)期運(yùn)行。接下來(lái)簡(jiǎn)要介紹一下三極管和MOS管的選型方法。

三極管是一種流控型器件，MOS管是壓控型器件，兩者之間有相似之處，在選擇時(shí)需要考慮耐壓、電流等參數(shù)。

1、根據(jù)耐壓選型

三極管的集電極C與發(fā)射極E之間能承受的電壓參數(shù)為V(BR)CEO，工作時(shí)CE之間的電壓不得超過(guò)規(guī)定值，否則三極管將永i久損壞。

在使用過(guò)程中，MOS管的漏極D與源極S之間也存在電壓，工作時(shí)DS兩端的電壓不能超過(guò)規(guī)定值。一般來(lái)說(shuō)，MOS管的耐壓值遠(yuǎn)高于三極管。

2、過(guò)電流能力

三極管有ICM參數(shù)，即集電極的過(guò)電流能力，MOS管的過(guò)電流能力以ID來(lái)表示。當(dāng)電流工作時(shí)，流過(guò)三極管/MOS管的電流不能超過(guò)規(guī)定值，否則器件將會(huì)被燒壞。

考慮到工作穩(wěn)定性，慈溪大電流mos，一般要留出30%-50%，甚至更多的余量。

3、工作溫度

商業(yè)級(jí)芯片：一般范圍在0到+70℃；

工業(yè)級(jí)芯片:一般范圍在-40到+85℃；

軍i工級(jí)芯片：一般范圍在-55℃到+150℃；

在進(jìn)行MOS管選型時(shí)，要根據(jù)產(chǎn)品的使用場(chǎng)合選擇合適的芯片。

4、根據(jù)開(kāi)關(guān)頻率選擇

三極管和MOS管都有開(kāi)關(guān)頻率/響應(yīng)時(shí)間的參數(shù)。如果用于高頻電路中，WP大電流mos，必須考慮開(kāi)關(guān)管的響應(yīng)時(shí)間是否符合使用條件。

5、其他選型條件

例如，MOS管的導(dǎo)通電阻Ron參數(shù)、MOS管的VTH開(kāi)啟電壓等。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

分辨MOS管優(yōu)劣的辦法有二種：

一種：定性分辨MOS管的優(yōu)劣

先用萬(wàn)用表R×10kΩ擋(內(nèi)嵌有9V或15V充電電池)，把負(fù)表筆(黑)接?xùn)艠O(G)，正表筆(紅)接源極(S)。給柵，源極中間電池充電，這時(shí)萬(wàn)用表表針有輕度偏轉(zhuǎn)。再改成萬(wàn)用表R×1Ω擋，將負(fù)表筆接漏極(D)，正筆接源極(S)，萬(wàn)用表標(biāo)示值若為幾歐母，則表明MOS管是好的。

第二種：定性分辨結(jié)型MOS管的電級(jí)

將萬(wàn)用表?yè)苤罵×100檔，紅表筆隨意接一個(gè)腳管，黑表筆則接另一個(gè)腳管，使第三腳懸在空中。若發(fā)覺(jué)表針有輕微的晃動(dòng)，就證實(shí)第三腳為柵極。欲得到更顯著的觀查實(shí)際效果，還可電子振動(dòng)挨近或是用手指觸碰懸在空中腳，大電流mos廠家，只需見(jiàn)到表針作大幅偏轉(zhuǎn)，大電流mos公司，即表明懸在空中腳是柵極，其他二腳分別是源極和漏極。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有很多種，其中包含直流電流、交流電流的參數(shù)和極限參數(shù)，但一般應(yīng)用時(shí)只需關(guān)心下列基本參數(shù)：飽和狀態(tài)的漏源電流量IDSS夾斷電壓Up，跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大損耗輸出功率PDSM和較大漏源電流量IDSM。