公司成立于2013年7月，寧海2090mos，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

做電源電路，或是做推動(dòng)領(lǐng)域的電源電路，免不了要使用MOS管。MOS管有很多類型，也是有許多功效。做開關(guān)電源或是推動(dòng)的應(yīng)用，自然便是用它的開關(guān)功效。

不管N型或是P型MOS管，其原理實(shí)質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在鍵入端柵極的電流來調(diào)節(jié)輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它根據(jù)加在柵極上的電流操縱器件的特點(diǎn)，不容易產(chǎn)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流造成的正電荷儲(chǔ)存效用，因而在開關(guān)運(yùn)用中，MOS管的開關(guān)速率應(yīng)當(dāng)比三極管快。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

功率MOSFET場效應(yīng)管是較為常用的一類功率器件，中文全名是——金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。它屬于一種功率輸出的器件，主要由金屬、氧化物還有半導(dǎo)體三種材料構(gòu)成。那么什么是功率MOSFET場效應(yīng)管呢？

其實(shí)就是從名字來看，功率MOSFET場效應(yīng)管就是它再工作時(shí)能輸出較大的電流。場效應(yīng)管的分類又分為很多種，2090mos公司，其中圍繞功耗的特性我們可以分成增強(qiáng)型和耗盡型，如果按照溝道來選的話又可以分成N溝道型和P溝道型。

場效應(yīng)管在輸出功率的系統(tǒng)中，2090mos價(jià)格，主要被當(dāng)做系統(tǒng)的開關(guān)。如果我們在N溝道場效應(yīng)管的柵極和源極之間再加上一個(gè)電壓，就會(huì)讓其電源開關(guān)導(dǎo)通。電源開關(guān)導(dǎo)通之后，電流即可經(jīng)過電源開關(guān)從漏極流入源極。其中在漏極和源極之間會(huì)存在一個(gè)內(nèi)電阻，我們一般叫做導(dǎo)通電阻器RDS（ON）。我們一定要清楚場效應(yīng)管的柵極實(shí)際上是一個(gè)高特性的阻抗端，所以我們需要在柵極上再添加一個(gè)電壓。當(dāng)源極和柵極間的電壓為零時(shí)，電源開關(guān)關(guān)掉，而電流量終止根據(jù)器件。盡管這時(shí)候器件早已關(guān)掉，但依然有細(xì)微電流量存有，這稱作泄露電流IDSS。

因?yàn)閳鲂?yīng)管是電氣控制系統(tǒng)中基本上的構(gòu)件之一，挑選恰當(dāng)?shù)膱鲂?yīng)管對全部設(shè)計(jì)方案是不是取得成功起著重要的功效。僅有掌握場效應(yīng)管的種類及掌握決策他們的關(guān)鍵特性特性，設(shè)計(jì)方案工作人員才可以對于特殊設(shè)計(jì)方案挑選恰當(dāng)?shù)膱鲂?yīng)管。

MOS管FET柵源保護(hù)：

1）避免 柵極 di/dt 過高

因?yàn)檫x用驅(qū)動(dòng)集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會(huì)造成推動(dòng)的功率管迅速的開啟和斷連，2090mos萬芯半導(dǎo)體，有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動(dòng)，或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生，一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個(gè)電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極間過壓

因?yàn)闁艠O與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會(huì)根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會(huì)使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時(shí)柵極非常容易累積正電荷也會(huì)使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，保護(hù) MOS 管不被穿透。

3）安全防護(hù)漏源極中間過壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護(hù)電路，一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關(guān)速率越快，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對策。