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主營：單片機,MOS,大電流mos
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公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發(fā)及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。
在電源開關等供電系統(tǒng)設計方案中，方案設計人員會更多關注MOS管的多個主要參數，mos價格，如通斷電阻器、較大工作電壓、較大電流量。這種要素雖然關鍵，考慮到不當之處會使電源電路沒法正常的工作中，但其實這只完成了頭一步，MOS管自身的寄生參數才算是危害電源電路的重要之處。
公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發(fā)及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，mos萬芯半導體，為您量身定制適合的芯片方案。
mos管小電流發(fā)熱的緣故
1、電路原理的難題，便是讓MOS管工作中在線形的運行狀態(tài)，而不是在開關情況。這也是造成 MOS管發(fā)熱的一個緣故。假如N-MOS做開關，G級工作電壓要比開關電源高幾V，臺州mos，才可以徹i底通斷，P-MOS則反過來。沒有徹i底開啟而損耗過大導致輸出功率耗費，等效電路直流電特性阻抗較為大，損耗擴大，因此U*I也擴大，耗損就代表著發(fā)熱。這也是設計方案控制電路的避諱的不正確。
2、頻率太高，主要是有時候太過追求完i美容積，造成 頻率提升，MOS管上的消耗擴大了，因此發(fā)熱也增加了。
3、沒有做到充足的排熱設計方案，電流太高，MOS管允差的電流值，一般必須保持良好的排熱才可以做到。因此ID低于較大電流，也很有可能發(fā)熱比較嚴重，必須充足的輔助散熱器。
4、MOS管的型號選擇不正確，對輸出功率分辨不正確，MOS管內電阻沒有考慮到，造成開關特性阻抗擴大。
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MOS，mos廠家，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。
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第3年
