金屬硅廣泛的應(yīng)用于耐火材料,粉末冶金行業(yè)中,是一種效果很好的化劑。在耐火材料中加入金屬硅可以先與氧發(fā)生反應(yīng),形成新的礦相封閉氣孔,提高致密度,阻止渣鐵的滲透,以提高產(chǎn)品的耐高溫,耐磨損和化性。而為了確保金屬硅的品質(zhì),在冶煉金屬硅的過程中需要注意很多細節(jié)。金屬硅是由石英和焦炭在電熱爐內(nèi)冶煉成的產(chǎn)品,多晶硅粉生產(chǎn)廠家,主成分硅元素的含量在98%左右(含Si量99.99%的也包含在金屬硅內(nèi)),其余雜質(zhì)為鐵、鋁、鈣等。
材料的純度主要取決于硅多晶的制備工藝,同時與后續(xù)工序的玷污也有密切關(guān)系。材料的均勻性主要涉及摻雜劑,特別是氧、碳含量的分布及其行為,在直拉生長工藝中采用磁場(見磁控直拉法單晶生長)計算機控制或連續(xù)送料,使均勻性得到很大改善;對區(qū)熔單晶采用中子嬗變摻雜技術(shù),改善了均勻性。在結(jié)構(gòu)完整性方面,直拉硅單晶早已采用無位錯拉晶工藝,吉林多晶硅粉,工作主要放在氧施主、氧沉淀及其誘生缺陷與雜質(zhì)的相互作用上。
結(jié)晶態(tài)硅材料的制備方法通常是先將硅石(SiO2)在電爐中高溫還原為冶金級硅(純度95%~99%),然后將其變?yōu)楣璧柠u化物或氫化物,經(jīng)提純,多晶硅粉價格,以制備純度很高的硅多晶。包括硅多晶的西門子法制備、硅多晶的法制備。在制造大多數(shù)半導體器件時,用的硅材料不是硅多晶,而是高完整性的硅單晶。通常用直拉法或區(qū)熔法由硅多晶制得硅單晶。
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