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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
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但是靶材制作困難，這是因為氧化銦不容易燒結(jié)在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。日本的科學(xué)家采用Bizo作為添加劑，Bi2O3在820Cr熔化，1N金靶材報價，在l500℃的燒結(jié)溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā)，這樣能夠在液相燒結(jié)條件下得到比較純的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒，宣城1N金靶材，這樣可以簡化前期的工序。
各種純度鋁中的雜質(zhì)含量及剩余電阻率如表2所示。超純金屬超純的純度也可以用剩余電阻率來測定，其值約為2×10-5?，F(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展趨勢是對金屬純度要求越來越高。因為金屬未能達(dá)到一定純度的情況下，金屬特性往往為雜質(zhì)所掩蓋。不僅是半導(dǎo)體材料，1N金靶材廠家，其他金屬也有同樣的情況，由于雜質(zhì)存在影響金屬的性能。
鎢過去用作燈泡的燈絲，1N金靶材廠，由于脆性而使處理上有困難，在適當(dāng)提純之后，這種缺點(diǎn)即可以克服（鎢絲也有摻雜及加工問題）。
金屬靶材材質(zhì)分為：
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。
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第8年
