磁控濺射靶材種類:金屬濺射鍍膜靶材,合金濺射鍍膜靶材,陶瓷濺射鍍膜靶材,硼化物陶瓷濺射靶材,碳化物陶瓷濺射靶材,氟化物陶瓷濺射靶材,氮化物陶瓷濺射靶材,氧化物陶瓷靶材,硒化物陶瓷濺射靶材,純銀靶材技術(shù),硅化物陶瓷濺射靶材,湖南純銀靶材,硫化物陶瓷濺射靶材,碲化物陶瓷濺射靶材,其他陶瓷靶材,摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO),磷化銦靶材(InP),鉛靶材(PbAs),銦靶材(InAs)。
濺射靶材ITO靶材的生產(chǎn)工藝 ITO靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種:熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結(jié)法。各種生產(chǎn)工藝及其特點簡介如下:
熱等靜壓法:ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預(yù)先成形的胚體,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機械性能好,但設(shè)備投入高,生產(chǎn)成本高,產(chǎn)品的缺氧率高。
各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀90年代以來,濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展,極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如,在半導體集成電路制造過程中,以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線:在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中,各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展,有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造;在信息存儲產(chǎn)業(yè)中,磁性存儲器的存儲容量不斷增加,新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求,需求數(shù)量也逐年增加。
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