EEPROM存儲器原理
EEPROM存儲器采用浮柵晶體管作為存儲單元,通過向浮柵注入或移除電荷來改變晶體管的閾值電壓,從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。與傳統(tǒng)ROM相比,EEPROM具有可擦除和可編程的特性,使得數(shù)據(jù)可以被修改。
200度進口存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,進口150度存儲器型號,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。EEPROM是指帶電可擦可編程只讀存儲器,存儲器,是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。EPROM芯片可重復(fù)擦除和寫入,解決了PROM芯片只能寫入一次的弊端。
EPROM芯片有一個很明顯的特征,在其正面的陶瓷封裝上,開有一個玻璃窗口,透過該窗口,可以看到其內(nèi)部的集成電路,紫外線透過該孔照射內(nèi)部芯片就可以擦除其內(nèi)的數(shù)據(jù),完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內(nèi)資料的寫入要用專門的編程器,并且往芯片中寫內(nèi)容時必須要加一定的編程電壓。
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多,進口150度存儲器參數(shù),150度常用的是25LC256系列,進口200度存儲器參數(shù),175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。Flash 儲存器芯片中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區(qū)還原為正常的1。Flash 儲存器采用內(nèi)部閉合電路,這樣不僅使電子區(qū)能夠作用于整個芯片,還可以預(yù)先設(shè)定“區(qū)塊”(Block)。在設(shè)定區(qū)塊的同時就將芯片中的目標區(qū)域擦除干凈,以備重新寫入。傳統(tǒng)的EEPROM芯片每次只能擦除一個字節(jié),而Flash 儲存器每次可擦寫一塊或整個芯片。Flash 儲存器的工作速度大幅優(yōu)于傳統(tǒng)EEPROM芯片。
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